Proprietà fenomenologiche dei semiconduttori, effetto Hall, determinazione sperimentale delle concentrazioni e delle mobilità dei portatori di carica - contatti ohmici e giunzioni pn, diffusione dei portatori di carica - modello matematico della teoria dei dispositivi - cenni di fisica dei materiali semiconduttori - condizioni di equilibrio per un semicondutture drogato in modo non uniforme, giunzioni pn in equilibrio - cenni sui diagrammi delle bande curve e sul loro impiego nell'interpretazione dei fenomeni di accumulazione, di svuotamento e di inversione all'interfaccia fra mezzi diversi, contatti ohmici e barriere Schottky - la funzione di ricombinazione, vite medie dei portatori di carica e loro misura - stime di seconda approssimazione sulla giunzione pn brusca in equilibrio, analisi numerica della giunzione pn con profilo qualsiasi in equilibrio, cenni sulla giunzione p+n - calcolo della caratteristica statica di un diodo a giunzione pn brusca, relazioni di Shockley - cenni sul regime di scarica in un diodo a giunzione pn, i diodi di Zener - la giunzione interdetta, capacità di barriera e diodi Varactor - effetti reattivi connessi ai transistori nelle zone quasi neutre, capacità di diffusione - transistori ad effetto di campo a giunzione (JFET) e cenni sui transistori a barriera Schottky (MESFET) - i transistori bipolari: concetto informatore e calcolo delle caratteristiche statiche, equazioni di Ebers e Moll - il modello a controllo di carica nello studio degli effetti dinamici nei transistori bipolari funzionanti in condizioni normali, circuito equivalente alle variazioni di Giacoletto - concetto informatore della tecnologia planare dei dispositivi al silicio, circuiti integrati monolitici - teoria delle giunzioni pn con profilo graduale, transistori bipolari con giunzioni diffuse in condizioni di funzionamento normale - i condensatori MOS nelle indagini sperimentali sulle interfacce SiSiO2 - transistori e circuiti integrati MOS - prospettive della microelettronica.